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PBSS5130QAZ
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PBSS5130QAZ Especificaciones técnicas
TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 325mW |
Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 1A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 170MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
PBSS5130QAZ Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para PBSS5130QAZ
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Hojas de datos
PBSS5130QAZ.pdf
Otros incluyen "PBSS5" partes
Las siguientes partes incluyen 'PBSS5'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2535 |
PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5120T | NXP | CIs Calientes Especializados | 992 |
PBSS5120T,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2686 |
PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
PBSS5120T215 | NXP | CIs Calientes Especializados | 3797 |
PBSS5130PAP | NXP | CIs Calientes Especializados | 2565 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2615 |
PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PBSS5130QA | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2704 |
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