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PBLS2004D,115 Especificaciones técnicas

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 20V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 600mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 185MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 6-TSOP
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 1A
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Otros incluyen   "PBLS2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PBLS2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PBLS2001D NXP CIs Calientes Especializados 18241
PBLS2001D+115 NXP CIs Calientes Especializados 2610
PBLS2001D,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2565
PBLS2001D,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PBLS2001S NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 1281
PBLS2001S,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2774
PBLS2001S,115 NXP USA Inc. Matrices de transistores BJT
PBLS2002D,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2672
PBLS2002D,115 Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PBLS2002S NXP CIs Calientes Especializados 12283

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