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NVD5890NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names NVD5890NT4G-VF01 NVD5890NT4G-VF01-ND
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 4 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 107W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 123A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'NVD58' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVD5802NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42776
NVD5802NT4G ON CIs Calientes Especializados 498
NVD5802NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVD5802NT4G-TB01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
NVD5802NT4G-VF01 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
NVD5803N ON CIs Calientes Especializados 37443
NVD5803NT4G ON CIs Calientes Especializados 2987
NVD5803NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVD5803NT4G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 12991
NVD5805NT4G VB CIs Calientes Especializados 79923

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