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NTMD6N04R2G Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 1.29W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTMD6601NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3104
NTMD6601NR2G Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6601NR2G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6M02R2 ON CIs Calientes Especializados 2508
NTMD6N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2532
NTMD6N02DR2G ON CIs Calientes Especializados 43921
NTMD6N02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2615
NTMD6N02R2 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6N02R2 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores MOSFETs
NTMD6N02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7223

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