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NESG2030M04-T2-A Especificaciones técnicas

TRANS NPN 2GHZ SOT-343

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.3V
Supplier Device Package M04
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 60GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 80mW
Package / Case SOT-343F
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Gain 16dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
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Otros incluyen   "NESG2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NESG2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NESG2021M05 NEC CIs Calientes Especializados 15200
NESG2021M05-EVNF58 CEL (California Eastern Laboratories) Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas 2687
NESG2021M05-EVNF58 CEL Placas RF
NESG2021M05-T1 NEC CIs Calientes Especializados 21230
NESG2021M05-T1-A NEC CIs Calientes Especializados 8084
NESG2021M16-T3 Renesas Electronics America CIs Calientes Especializados 5732
NESG2021M16-T3-A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT RF
NESG2030M04 NEC CIs Calientes Especializados 12500
NESG2030M04-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2631
NESG2030M04-A CEL Transistores BJT RF

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