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NE85634-T1-RF-A
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NE85634-T1-RF-A Especificaciones técnicas
SAME AS 2SC3357 SAME AS 2SC3357
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 6.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.2W |
Package / Case | TO-243AA |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
NE85634-T1-RF-A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE85634-T1-RF-A
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Hojas de datos
NE85634-T1-RF-A.pdf
Otros incluyen "NE856" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE856'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE85618 | NEC | CIs Calientes Especializados | 5 |
NE85618-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2712 |
NE85618-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85618-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 63453 |
NE85618-T1-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85619 | NEC | CIs Calientes Especializados | 5 |
NE85619-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2581 |
NE85619-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE85619-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 3150 |
NE85619-T1 | CEL | Transistores BJT RF |
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