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NE685M33-A Especificaciones técnicas

TRANSISTOR NPN 2GHZ M33

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V
Supplier Device Package 3-SuperMiniMold (M33)
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 12GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 130mW
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NE68518-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2674
NE68518-A CEL Transistores BJT RF
NE68518-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2511
NE68518-T1-A CEL Transistores BJT RF
NE68519-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2541
NE68519-A CEL Transistores BJT RF
NE68519-T1 CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2695
NE68519-T1 CEL Transistores BJT RF
NE68519-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2454
NE68519-T1-A CEL Transistores BJT RF

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