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NE68530-A
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NE68530-A Especificaciones técnicas
TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 12GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gain | 7dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
NE68530-A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE68530-A
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NE685" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE685'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE68518-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2674 |
NE68518-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68518-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2511 |
NE68518-T1-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68519-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2541 |
NE68519-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68519-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2695 |
NE68519-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68519-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2454 |
NE68519-T1-A | CEL | Transistores BJT RF |
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