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NE68133-T1B-A
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NE68133-T1B-A Especificaciones técnicas
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 9GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 13dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
NE68133-T1B-A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE68133-T1B-A
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Hojas de datos
3.NE68133-T1B-A.pdf 2.NE68133-T1B-A.pdf 1.NE68133-T1B-A.pdf
Otros incluyen "NE681" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE681'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE68118 | NEC | CIs Calientes Especializados | 30000 |
NE68118-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2689 |
NE68118-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68118-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 6300 |
NE68118-T1-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68119-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2627 |
NE68119-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68119-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2722 |
NE68119-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68119-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 12364 |
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