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NE5532DR
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NE5532DR Especificaciones técnicas
IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Lineal - Amplificadores - Instrumentación, Amplificadores OP, Amplificadores Buffer |
Manufacturer | N/A |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 15 V |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Output Type | - |
Number of Circuits | 2 |
Gain Bandwidth Product | 10MHz |
Current - Output / Channel | 38mA |
Amplifier Type | General Purpose |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Input Offset | 500µV |
Slew Rate | 9 V/µs |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Supply | 8mA |
Current - Input Bias | 200nA |
-3db Bandwidth | - |
NE5532DR Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE5532DR
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Hojas de datos
Otros incluyen "NE553" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE553'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE5531079A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2670 |
NE5531079A-A | CEL | Transistores MOSFET RF | |
NE5531079A-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 19007 |
NE5531079A-T1-A | CEL | Transistores MOSFET RF | |
NE5531079A-T1-A | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET RF | |
NE5531079A-T1A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2620 |
NE5531079A-T1A-A | CEL | Transistores MOSFET RF | |
NE5532 | Original | CIs Calientes Especializados | 2380 |
NE5532(NE5532AD) | TI | CIs Calientes Especializados | 825 |
NE5532/SOP8/DIP | TI | CIs Calientes Especializados | 15822459 |
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