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MUN5214T1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "MUN52"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MUN52' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUN5211 ZXDZ CIs Calientes Especializados 15500
MUN5211DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 1164
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2411
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
MUN5211T1 ON CIs Calientes Especializados 10800
MUN5211T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 115900
MUN5211T1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MUN5211T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 9207

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