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MUN5116DW1T1
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MUN5116DW1T1 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MUN51" partes
Las siguientes partes incluyen 'MUN51'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MUN5111DW1T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 4000 |
MUN5111DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 139500 |
MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
MUN5111DWT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 2575 |
MUN5111LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MUN5111T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 2478 |
MUN5111T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5111T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 9700 |
MUN5111T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MUN5111T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 521 |
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