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MPSW06G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 80V 0.5A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA
Supplier Device Package TO-92
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 50MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Otros incluyen   "MPSW0"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MPSW0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPSW01 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6434
MPSW01 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW01 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPSW01A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3400
MPSW01A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW01A-AP Micro Commercial Co Transistores BJT individuales
MPSW01AG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2643
MPSW01AG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW01ARLR MOT CIs Calientes Especializados 2610
MPSW01ARLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2450

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