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MHT1006NT1 Especificaciones técnicas

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 28V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 1.26W
Package / Case PLD-1.5W-2
Gain 21.7dB
Current Rating -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 65V
Supplier Device Package PLD-1.5W-2
Packaging Tape & Reel (TR)
Noise Figure -
Frequency 2.17GHz
Current - Test 90mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MHT1000HR5 NXP Semiconductors / Freescale Amplificadores RF 2587
MHT1000HR5 NXP USA Inc. Amplificadores RF
MHT1001HR5 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2564
MHT1001HR5 NXP USA Inc. Transistores MOSFET RF
MHT1002GNR3 NXP Semiconductors / Freescale Amplificadores RF 2554
MHT1002GNR3 NXP USA Inc. Amplificadores RF
MHT1002NR3 NXP Semiconductors / Freescale Amplificadores RF 2702
MHT1002NR3 NXP USA Inc. Amplificadores RF
MHT1003NR3 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2625
MHT1003NR3 NXP USA Inc. Transistores MOSFET RF

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