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KSB811YTA Especificaciones técnicas

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type PNP
Power - Max 350mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number KSB811
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92S
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSB810YTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2506
KSB810YTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2668
KSB811 Original CIs Calientes Especializados 52500
KSB811GBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSB811GBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2782
KSB811GTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2798
KSB811GTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2710
KSB811OBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
KSB811OBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2631
KSB811OTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2524

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