JANS2N3499L Especificaciones técnicas

SMALL-SIGNAL BJT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/366
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
Supplier Device Package TO-5
RoHS Status RoHS non-compliant
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 500mA Through Hole TO-5
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JANS2N2221AUBC Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2530
JANS2N2222A Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2741
JANS2N2222AUB Microsemi CIs Calientes Especializados 1109
JANS2N2222AUBC Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2749
JANS2N2369AUB Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
JANS2N2369AUB Microsemi Corporation Transistores BJT individuales
JANS2N2369AUBC Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2544
JANS2N2484UB Microsemi CIs Calientes Especializados 895
JANS2N2857UB-LC Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2717
JANS2N2857UB-LC Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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