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JAN2N6059 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN - Darlington
Series Military, MIL-PRF-19500/502
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Supplier Device Package TO-204AA (TO-3)
Power - Max 150W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 6A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
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Otros incluyen   "JAN2N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'JAN2N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JAN2N1016B Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714
JAN2N1171A ST CIs Calientes Especializados 2815
JAN2N1172A ST CIs Calientes Especializados 2756
JAN2N1173A ST CIs Calientes Especializados 2936
JAN2N1174A ST CIs Calientes Especializados 2812
JAN2N1175A ST CIs Calientes Especializados 2854
JAN2N1176A ST CIs Calientes Especializados 2834
JAN2N1177A ST CIs Calientes Especializados 2909

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