JAN2N3439L Especificaciones técnicas

TRANS NPN 350V 1A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/368
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 2µA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Supplier Device Package TO-5
Power - Max 800mW
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
JAN2N1016B Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2714
JAN2N1171A ST CIs Calientes Especializados 2815
JAN2N1172A ST CIs Calientes Especializados 2756
JAN2N1173A ST CIs Calientes Especializados 2936
JAN2N1174A ST CIs Calientes Especializados 2812
JAN2N1175A ST CIs Calientes Especializados 2854
JAN2N1176A ST CIs Calientes Especializados 2834
JAN2N1177A ST CIs Calientes Especializados 2909

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