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IXYQ30N65B3D1
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IXYQ30N65B3D1 Especificaciones técnicas
DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3)
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | IXYS |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 24 Weeks |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Series | GenX3™, XPT™ |
Reach Compliance Code | compliant |
Power - Max | 270W |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | PT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Switching Energy | 830μJ (on), 640μJ (off) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Part Status | Active |
Input Type | Standard |
Reverse Recovery Time | 38ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 45nC |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/87ns |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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