IXYA20N120B4HV Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 29 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series GenX4™, XPT™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Power - Max 375W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800mV, 20A, 10 Ω, 15V
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 130A
Switching Energy 3.9mJ (on), 1.6mJ (off)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Part Status Active
Input Type Standard
Reverse Recovery Time 47ns
Current - Collector (Ic) (Max) 76A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Gate Charge 44nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/200ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IXYA20N120A4HV IXYS IGBTs individuales
IXYA20N120C3HV IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 0
IXYA20N120C3HV IXYS IGBTs individuales
IXYA20N120C4HV IXYS IGBTs individuales
IXYA20N65B3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 0
IXYA20N65B3 IXYS IGBTs individuales
IXYA20N65C3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2771
IXYA20N65C3 IXYS IGBTs individuales
IXYA20N65C3-TRL IXYS IGBTs individuales
IXYA20N65C3D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2575

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