IXXH30N65C4D1 Especificaciones técnicas

IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 15 Ohm, 15V
Switching Energy 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Series XPT™, GenX4™
Power - Max 230W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 650V 62A 230W Through Hole TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max) 62A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 20ns/140ns
Supplier Device Package TO-247AD
Reverse Recovery Time (trr) 72ns
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Input Type Standard
Gate Charge 47nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 136A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXXH30N60B3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2705
IXXH30N60B3 IXYS IGBTs individuales
IXXH30N60B3 IC IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2486
IXXH30N60B3D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2578
IXXH30N60B3D1 IXYS IGBTs individuales
IXXH30N60C3D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2731
IXXH30N60C3D1 IXYS IGBTs individuales
IXXH30N65B4 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2549
IXXH30N65B4 IXYS IGBTs individuales
IXXH30N65B4D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2743

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