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IXTH76P10T Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 76A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 298W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±15V
Supplier Device Package TO-247 (IXTH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTH7"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTH7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTH72N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5976
IXTH72N20 CMH82N25 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 401
IXTH72N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTH72N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 452
IXTH72P03P IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3555
IXTH74N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
IXTH75N08 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2887
IXTH75N08A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2740
IXTH75N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2942
IXTH75N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8812

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