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IXSH30N60CD1 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 55A 200W TO247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V
Switching Energy 700µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector (Ic) (Max) 55A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/90ns
Supplier Device Package TO-247AD (IXSH)
Power - Max 200W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 110A
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Otros incluyen   "IXSH3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXSH3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXSH30N60 IGBT Module Módulos IGBT 12388
IXSH30N60A IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2937
IXSH30N60AU1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2823
IXSH30N60AU1 IXYS IGBTs individuales
IXSH30N60B IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2908
IXSH30N60B IXYS IGBTs individuales
IXSH30N60B2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3432
IXSH30N60B2D1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 14156
IXSH30N60B2D1 IXYS IGBTs individuales
IXSH30N60BD1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2718

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