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IXGT35N120B
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IXGT35N120B Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 70A 300W TO268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 960V, 35A, 5 Ohm, 15V |
Switching Energy | 3.8mJ (off) |
Series | HiPerFAST™ |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 170nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 35A |
Td (on/off) @ 25°C | 50ns/180ns |
Supplier Device Package | TO-268 |
Power - Max | 300W |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | PT |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 140A |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXGT3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXGT30N120B3D1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2557 |
IXGT30N120B3D1 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXGT30N120BD1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2673 |
IXGT30N120BD1 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXGT30N60B | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2708 |
IXGT30N60B | IXYS | IGBTs individuales | |
IXGT30N60B2 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2758 |
IXGT30N60B2 | IXYS | IGBTs individuales | |
IXGT30N60B2D1 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Individual | 2642 |
IXGT30N60B2D1 | IXYS | IGBTs individuales |
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