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IXGR35N120C Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 35A, 4.7 Ohm, 15V
Switching Energy 3mJ (off)
Series HiPerFAST™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4V @ 15V, 35A
Td (on/off) @ 25°C 50ns/150ns
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Power - Max 200W
Package / Case ISOPLUS247™
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 140A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGR32N170AH1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2725
IXGR32N170AH1 IXYS IGBTs individuales
IXGR32N170H1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2773
IXGR32N170H1 IXYS IGBTs individuales
IXGR32N60C IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2569
IXGR32N60C IXYS IGBTs individuales
IXGR32N60CD1 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 1473
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