IXGH25N100 Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 50A 200W TO247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 800V, 25A, 33 Ohm, 15V
Switching Energy 5mJ (off)
Power - Max 200W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 100ns/500ns
Supplier Device Package TO-247AD (IXGH)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 130nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXGH20N100 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2553
IXGH20N100 IXYS IGBTs individuales
IXGH20N100A3 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4322
IXGH20N120 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2774
IXGH20N120 IXYS IGBTs individuales
IXGH20N120A2 IXYS CIs Calientes Especializados 415
IXGH20N120A3 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 5795
IXGH20N120A3 IXYS IGBTs individuales
IXGH20N120B IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 407
IXGH20N120B IXYS IGBTs individuales

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