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IXFP180N10T2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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IXFP180N10T2 Documentos

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFP102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2666
IXFP10N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 882
IXFP10N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
IXFP110N15T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9168
IXFP12N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20000
IXFP12N50PM IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20000
IXFP12N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
IXFP130N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2633
IXFP130N10T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2667
IXFP130N15X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2781

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