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IXFN170N30P
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IXFN170N30P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 85A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 138A |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFN170N30P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFN1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFN1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFN10050P | IXYS | Módulos IGBT | 5356 |
IXFN100N10 | IXYS | Módulos IGBT | 2984 |
IXFN100N10S1 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2752 |
IXFN100N10S2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
IXFN100N10S3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2898 |
IXFN100N20 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1258 |
IXFN100N25 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2994 |
IXFN100N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2799 |
IXFN100N50Q3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2912 |
IXFN100N65X2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2796 |
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Componentes del Rack
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