IXBK64N250 Especificaciones técnicas

BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / IGBTs individuales
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 28 Weeks
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Transistor Element Material SILICON
Published 2011
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2500V
Power Dissipation-Max (Abs) 735W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 64A
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Packaging Bulk
Series BIMOSFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 735W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Turn On Time 632 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 397 ns
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 5V
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