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IXA30PG1200DHG-TUB Especificaciones técnicas

IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores IGBT
Manufacturer IXYS
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 150W
Current - Collector Cutoff (Max) 2.1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 43A
IGBT Type PT
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 9-SMD Module
Part Status Active
Configuration Half Bridge
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
NTC Thermistor No
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXA30PG1200DHG-TRR IXYS Matrices de transistores IGBT
IXA30PG1200DHGLB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Matrices 2611
IXA30PG1200DHGLB IXYS Matrices de transistores IGBT
IXA30PG1200DHGLB-TRR IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Matrices 2668
IXA30PG1200DHGLB-TRR IXYS Matrices de transistores IGBT
IXA30RG1200DHG-TRR IXYS IGBTs individuales
IXA30RG1200DHG-TUB IXYS IGBTs individuales
IXA30RG1200DHGLB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2719
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