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IRFU430APBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Otros incluyen   "IRFU4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU4104 IR CIs Calientes Especializados 5431
IRFU4104-701PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2551
IRFU4104-701TRP IR CIs Calientes Especializados 5045
IRFU4104PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20975
IRFU4104PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFU4104TRL-701 MOS IR CIs Calientes Especializados 6440
IRFU4105 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13100
IRFU4105 MOS IR CIs Calientes Especializados 24527
IRFU4105PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12381
IRFU4105PBF. IR CIs Calientes Especializados 2709

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