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IRFU224PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 2.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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IRFU224PBF Documentos

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Otros incluyen   "IRFU2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU210 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10240
IRFU210 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10240
IRFU210 MOS IR CIs Calientes Especializados 2258
IRFU210B FAIRCHI CIs Calientes Especializados 3810
IRFU210P HAR CIs Calientes Especializados 823
IRFU210PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11127
IRFU210PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1651
IRFU210PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFU210PBF MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5400
IRFU214 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2286

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