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IRFU110PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 900mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-251AA
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRFU110PBF Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRFU110PBF

Otros incluyen   "IRFU1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFU1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFU1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 563
IRFU1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 670
IRFU1018E IR CIs Calientes Especializados 2566
IRFU1018EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10315
IRFU1018EPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFU110 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2797
IRFU110 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2339
IRFU110 IRLU110 IR CIs Calientes Especializados 1
IRFU110A IR CIs Calientes Especializados 49
IRFU110PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5928

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