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IRF7389PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF730 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1408
IRF730 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9119
IRF730 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9174
IRF730 Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
IRF730 IC IR CIs Calientes Especializados 716
IRF7301 IR CIs Calientes Especializados 4875
IRF7301PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5483
IRF7301PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
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IRF7301TR IC IR CIs Calientes Especializados 898

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