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IPD80N06S3-09 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 55µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPD800N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5409
IPD800N06N G infineon CIs Calientes Especializados 10433
IPD800N06N G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10349
IPD800N06NG INFINEO CIs Calientes Especializados 57724
IPD800N06NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2559
IPD800N06NGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPD80N04S3-06 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 55851
IPD80N04S3-06 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 14387
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