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HGTG30N60B3 Especificaciones técnicas

IGBT 600V 60A 208W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 500µJ (on), 680µJ (off)
Power - Max 208W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 220A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 36ns/137ns
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTG30N120CN Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20017
HGTG30N120D2 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20000
HGTG30N60A4 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1394
HGTG30N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 12660
HGTG30N60A4 ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTG30N60A4D Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1374
HGTG30N60A4D AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 15465
HGTG30N60A4D ON Semiconductor IGBTs individuales
HGTG30N60A4D G30N60A4D Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 591
HGTG30N60A4D IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 375

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