HGT1S20N36G3VL Especificaciones técnicas

IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 395V
Test Condition 300V, 10A, 25 Ohm, 5V
Switching Energy -
Power - Max 150W
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole I2PAK (TO-262)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -/15µs
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Logic
Gate Charge 28.7nC
Current - Collector (Ic) (Max) 37.7A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGT1S10N120BNS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3141
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor IGBTs individuales
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2995
HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 578
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor IGBTs individuales

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