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FJNS3215RBU Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'FJNS3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3201RTA ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados

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