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FGA15N120FTDTU Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 30A 220W TO3PN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 575ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 220W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA150N30 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30
FGA15N120 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 329
FGA15N120AND FSC CIs Calientes Especializados 6600
FGA15N120ANDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6959
FGA15N120ANDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 32647
FGA15N120ANDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA15N120ANTD FSC CIs Calientes Especializados 1767
FGA15N120ANTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5411
FGA15N120ANTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 13040
FGA15N120ANTDTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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