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DSEI60-12A
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DSEI60-12A Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.55V @ 60A |
Supplier Device Package | TO-247AD |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Package / Case | TO-247-2 |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.2mA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 52A |
DSEI60-12A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para DSEI60-12A
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Hojas de datos
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Otros incluyen "DSEI6" partes
Las siguientes partes incluyen 'DSEI6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
DSEI60-02A | IXYS Corporation | Diodos - Rectificadores - Individual | 2341 |
DSEI60-02A | IXYS | Rectificador de Diodo Monofásico | |
DSEI60-05A | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 11 |
DSEI60-06A | IXYS Corporation | Diodos - Rectificadores - Individual | 2432 |
DSEI60-06A | IXYS | Rectificador de Diodo Monofásico | |
DSEI60-06AT | IGBT Module | Módulos IGBT | 2837 |
DSEI60-06C | IGBT Module | Módulos IGBT | 2990 |
DSEI60-10 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 3938 |
DSEI60-10A | IXYS Corporation | Diodos - Rectificadores - Individual | 5320 |
DSEI60-10A | IXYS | Rectificador de Diodo Monofásico |
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