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CSD85312Q3E Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Series NexFET™
Power - Max 2.5W
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CSD85301Q2 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1958
CSD85301Q2 IC TI CIs Calientes Especializados 9484
CSD85301Q2T N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 4068
CSD85302L N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2340
CSD85302LT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3504

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