CSD23201W10 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DSBGA (1x1)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-UFBGA, DSBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
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CSD23202W10 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1454
CSD23202W10T N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 711
CSD23203W N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 21782
CSD23203WT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2712
CSD23280F3 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2778
CSD23280F3 IC TI CIs Calientes Especializados 27464
CSD23280F3T N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
CSD23285F5 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2551
CSD23285F5T N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520
CSD2328F3 TI CIs Calientes Especializados 6402

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