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CSD19502Q5B Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 100A 8SON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-VSON (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4870pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
CSD19501KCS N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3324
CSD19502Q5BT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3834
CSD19503KCS N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 535
CSD19505KCS N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27543
CSD19505KTT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
CSD19505KTTT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2503
CSD19506KCS N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5208
CSD19506KTT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4196
CSD19506KTTT N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1084
CSD19531 TI CIs Calientes Especializados 34

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