CSD17308Q3T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 50A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 2.7W (Ta), 28W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +10V, -8V
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.3 mOhm @ 10A, 8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 44A (Tc)
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CSD17301 TI CIs Calientes Especializados 744
CSD17301Q5A N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5386
CSD17301Q5A MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1221
CSD17302Q5A N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 27064
CSD17302Q5A IC TI CIs Calientes Especializados 986
CSD17303Q5 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18047
CSD17304Q3 N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11259
CSD17304Q3 MOS TI CIs Calientes Especializados 12481
CSD17305Q5A N/A Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2700
CSD17305Q5A IC TI CIs Calientes Especializados 6333

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