BYV25D-600,118 Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A
Supplier Device Package DPAK
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 5A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BYV25-600P NXP CIs Calientes Especializados 2626
BYV255V-200 STMicroelectronics Diodos - Rectificadores - Matrices 2926
BYV255V100 ST Módulos IGBT 2709
BYV255V150 ST Módulos IGBT 2966
BYV255V200 ST Módulos IGBT 2803
BYV255V300 ST Módulos IGBT 2718
BYV255V400 ST Módulos IGBT 2770
BYV255V50 ST Módulos IGBT 2783
BYV255V600 ST Módulos IGBT 2682
BYV255V700 ST Módulos IGBT 2594

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