BYC30W-600PQ Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.75V @ 30A
Supplier Device Package TO-247-2
Reverse Recovery Time (trr) 22ns
Package / Case TO-247-2
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction 175°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 30A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BYC30-1200P WeEn Semiconductors Co., Ltd CIs Calientes Especializados 5903
BYC30-600P NXP CIs Calientes Especializados 142431
BYC30-600P ,127 WEENSEMICONDUCTORSHONGKONGCO CIs Calientes Especializados 142296
BYC30B-600P WEEN/NXP CIs Calientes Especializados 4821
BYC30DW-600P NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 813
BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors Co., Ltd Diodos - Rectificadores - Individual 2606
BYC30U-600P NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 506
BYC30W-1200P WeEn Semiconductors Co., Ltd CIs Calientes Especializados 3040
BYC30W-1200P MOS WeEn Semiconductors Co., Ltd CIs Calientes Especializados 3164
BYC30W-1200PQ WEENSEMICONDUCTORSHONGKONGCO CIs Calientes Especializados 100398

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