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BDW83D-S
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BDW83D-S Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 120V 15A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Bourns, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 3.5W |
Package / Case | TO-218-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 150mA, 15A |
Supplier Device Package | SOT-93 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BDW83" partes
Las siguientes partes incluyen 'BDW83'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BDW83-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2659 |
BDW83-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDW83A | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2799 |
BDW83A-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2752 |
BDW83A-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDW83B | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2732 |
BDW83B-S | Bourns, Inc. | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2691 |
BDW83B-S | Bourns Inc. | Transistores BJT individuales | |
BDW83C | STMicroelectronics | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2965 |
BDW83C | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5359 |
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