BC817RAPNZ Especificaciones técnicas

BC817RAPN/SOT1268/DFN1412-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 350mW
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 500mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1412-6
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package DFN1412-6
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 1727-7384-2 934070166147 BC817RAPNZ-ND
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC817 NXP/NEX CIs Calientes Especializados 120385
BC817 6B CJ CIs Calientes Especializados 4997
BC817 6C ON CIs Calientes Especializados 3359
BC817,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 15000
BC817,215 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BC817,235 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2788
BC817,235 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BC817-13 UTC CIs Calientes Especializados 5600
BC817-16 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2333
BC817-16 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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