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APTM50HM65FT3G Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Power - Max 390W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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