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APTGTQ100A65T1G
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APTGTQ100A65T1G Especificaciones técnicas
POWER MODULE - IGBT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Supplier Device Package | SP1 |
Package / Case | Module |
NTC Thermistor | Yes |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input | Standard |
Detailed Description | IGBT Module Half Bridge 650V 100A 250W Chassis Mount SP1 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Power - Max | 250W |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6nF @ 25V |
IGBT Type | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
Configuration | Half Bridge |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APTGT100A1202G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2741 |
APTGT100A1202G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120D1G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2761 |
APTGT100A120D1G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120T3AG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2517 |
APTGT100A120T3AG | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A120TG | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2709 |
APTGT100A120TG | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APTGT100A170D1G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2779 |
APTGT100A170D1G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT |
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